Вид памяти

Время доступа

Выходное напряжение

Емкость памяти

Интерфейс

Корпус

Монтаж

Напряжение питания

Применение

Рабочее напряжение

Структура памяти

Тип аксессуаров для полупроводников

Тип батареи

Тип микросхемы

Ток в режиме покоя

Ток питания DC

Формат даты

Формат часов

Характерные особенности

Частота

Ширина микросхемы

Производитель

Запоминающие уст-ва SRAM параллельные

Запоминающие уст-ва SRAM параллельные

Сравнение товаров (0)


AS6C1008-55BIN

AS6C1008-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TFBGA36

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480 ..

по запросу



AS6C1008-55BINTR

AS6C1008-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 2000 ..

по запросу



AS6C1008-55PCN

AS6C1008-55PCN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, DIP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 8.39 g Групповая упаковка [pcs]: 13 ..

по запросу



AS6C1008-55PIN

AS6C1008-55PIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, DIP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 8.46 g Групповая упаковка [pcs]: 13 ..

420.90 руб.



AS6C1008-55SIN

AS6C1008-55SIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, SOP32, 450mils

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 2.22 g Групповая упаковка [pcs]: 220 ..

192.15 руб.



AS6C1008-55SINL

AS6C1008-55SINL - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, SOP32, 450mils

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 22 ..

по запросу



AS6C1008-55SINLTR

AS6C1008-55SINLTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



AS6C1008-55SINTR

AS6C1008-55SINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

185.44 руб.



AS6C1008-55STIN

AS6C1008-55STIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, STSOP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 1.73 g Групповая упаковка [pcs]: 234 ..

201.91 руб.



AS6C1008-55STINL

AS6C1008-55STINL - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, STSOP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 234 ..

234.24 руб.



AS6C1008-55STINLTR

AS6C1008-55STINLTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1500 ..

по запросу



AS6C1008-55STINTR

AS6C1008-55STINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1500 ..

по запросу



AS6C1008-55TIN

AS6C1008-55TIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TSOP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 1.67 g Групповая упаковка [pcs]: 312 ..

210.45 руб.



AS6C1008-55TINL

AS6C1008-55TINL - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TSOP32

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 156 ..

по запросу



AS6C1008-55TINLTR

AS6C1008-55TINLTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1500 ..

по запросу



AS6C1008-55TINTR

AS6C1008-55TINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1500 ..

по запросу



AS6C1016-55BIN

AS6C1016-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 64Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TFBGA48

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480 ..

по запросу



AS6C1016-55BINTR

AS6C1016-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 64Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 2000 ..

по запросу



AS6C1016-55ZIN

AS6C1016-55ZIN - Микросхема памяти, SRAM, 64Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TSOP44 II

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 1.12 g Групповая упаковка [pcs]: 270 ..

по запросу



AS6C1016-55ZINTR

AS6C1016-55ZINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 64Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



AS6C1616-55TIN

AS6C1616-55TIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024x16бит, 3÷3,6В, 55нс, TSOP48

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 3.09 g Групповая упаковка [pcs]: 135 ..

1,084.58 руб.



AS6C1616-55TINTR

AS6C1616-55TINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 1024x16бит, 3,3В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



AS6C1616-70BIN

AS6C1616-70BIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024x16бит, 3÷3,6В, 70нс, TFBGA48

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480 ..

по запросу



AS6C1616-70BINTR

AS6C1616-70BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 1024x16бит, 3,3В, 70нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 2000 ..

по запросу



AS6C1616A-55BIN

AS6C1616A-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024x16бит, 3÷3,6В, 55нс, TFBGA48

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480 ..

по запросу



AS6C1616A-55BINTR

AS6C1616A-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 1024x16бит, 3,3В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



AS6C2008-55BIN

AS6C2008-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 256Кx8бит, 3÷3,6В, 55нс, TFBGA36

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480 ..

по запросу



AS6C2008-55BINTR

AS6C2008-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 256Кx8бит, 3,3В, 55нс

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 2000 ..

по запросу



AS6C2008-55SIN

AS6C2008-55SIN - Микросхема памяти, SRAM, 256Кx8бит, 3÷3,6В, 55нс, SOP32, 450mils

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 4.59 g Групповая упаковка [pcs]: 22 ..

по запросу



AS6C2008-55SINTR

AS6C2008-55SINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 256Кx8бит, 3,3В, 55нс, SOP32

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



Показано с 1 по 30 из 587 (Всего страниц: 20)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой