AS6C2008-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 256Кx8бит, 3,3В, 55нс

Память; SRAM,асинхронная; 256Кx8бит; 3,3В; 55нс; TFBGA36

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 2Мбит
Код завода AS6C2008-55BINTR
Корпус TFBGA36
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 3.3В
Структура памяти 256Кx8бит
Тип микросхемы synchronous
Характерные особенности low power
  • Производитель: ALLIANCE MEMORY
  • Модель: AS6C2008-55BINTR
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой