AS6C1008-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TFBGA36

Память; SRAM,асинхронная; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA36

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 1Мбит
Код завода AS6C1008-55BIN
Корпус TFBGA36
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...5.5В
Структура памяти 128Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой