AS6C1616-70BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 1024x16бит, 3,3В, 70нс

Память; SRAM,асинхронная; 1024x16бит; 3,3В; 70нс; TFBGA48

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 70нс
Емкость памяти 16Мбит
Код завода AS6C1616-70BINTR
Корпус TFBGA48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 3.3В
Структура памяти 1024x16бит
Тип микросхемы synchronous
Характерные особенности low power
  • Производитель: ALLIANCE MEMORY
  • Модель: AS6C1616-70BINTR
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой