Transistor kind

Вид упаковки

Заряд затвора

Конструкция диода

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор-исток

Напряжение сток-исток

Полярность

Сопротивление в открытом состоянии

Тепловое сопротивление переход-среда

Технология

Тип транзистора

Ток стока

Производитель

Транзисторы многоканальные | Страница: 11

Транзисторы многоканальные | Страница: 11 - 100x100

Сравнение товаров (0)


IRF9389TRPBF - 190x210

IRF9389TRPBF - Транзистор: МОП n/p-канальный, 30В, 6,8А, 2Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8..

26.52 руб.



IRF9910PBF - 190x210

IRF9910PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 20В, 10А, 2Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8..

73.32 руб.



IRF9910TRPBF - 190x210

IRF9910TRPBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8..

по запросу



IRF9952PBF - 190x210

IRF9952PBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 3,5А, 2Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8..

53.82 руб.



IRF9952TRPBF - 190x210

IRF9952TRPBF - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, 30В, 3,5А, 2Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8..

по запросу



IRF9953TRPBF - 190x210

IRF9953TRPBF - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, -30В, -2,3А, 2Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2,3А; 2Вт; SO8..

по запросу



IRF9956TRPBF - 190x210

IRF9956TRPBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 30В, 3,5А, 2Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; 2Вт; SO8..

по запросу



IRFH7911TR2PBF - 190x210

IRFH7911TR2PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 30В, 13А, 2,4Вт, PQFN

Масса брутто: 0.72 g Групповая упаковка [pcs]: 400 ..

30.42 руб.



IRFHM8363TRPBF - 190x210

IRFHM8363TRPBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 30В, 11А, 2,7Вт, PQFN3.3X3.3

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 11А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3..

77.22 руб.



IRFI4019H-117P - 190x210

IRFI4019H-117P - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 150В, 8,7А, 18Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 150В; 8,7А; 18Вт; TO220FP-5..

313.56 руб.



IRFI4020H-117P - 190x210

IRFI4020H-117P - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 200В, 9,1А, 21Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 200В; 9,1А; 21Вт; TO220FP-5..

466.44 руб.



IRFI4024H-117P - 190x210

IRFI4024H-117P - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 55В, 11А, 14Вт, TO220

Масса брутто: 3.56 g Групповая упаковка [pcs]: 1 ..

по запросу



IRFI4212H-117P - 190x210

IRFI4212H-117P - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 100В, 11А, 18Вт, TO220

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 11А; 18Вт; TO220FP-5..

132.60 руб.



IRL6372PBF - 190x210

IRL6372PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 8,1А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.38 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



IRL6372TRPBF - 190x210

IRL6372TRPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 2,5Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8..

по запросу



NDC7002N - 190x210

NDC7002N - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 50В, 510мА, SOT6

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SOT6..

по запросу



NDS9948 - 190x210

NDS9948 - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, -60В, -2,3А, SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8..

по запросу



NTZD3155CT1G - 190x210

NTZD3155CT1G Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 20В, -310/390мА, 250мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -20/20В; 0,39/-0,31А; 0,25Вт..

16.38 руб.



SI3865BDV-T1-E3 - 190x210

SI3865BDV-T1-E3 - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, 8В, 2,9А, 830мВт, TSOP6

Масса брутто: 1.75 g Групповая упаковка [pcs]: 1 ТОВАР СНЯТ С РОЗНИЧНЫХ ПРОДАЖ..

по запросу



SI4532ADY-T1-E3 - 190x210

SI4532ADY-T1-E3 - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, 30В, 4,9А, SO8

Масса брутто: 0.26 g Групповая упаковка [pcs]: 5000 ..

по запросу



SI4925BDY - 190x210

SI4925BDY - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, -30В, -7,1А, SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8..

по запросу



SI6926ADQ-T1-E3 - 190x210

SI6926ADQ-T1-E3 - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 20В, 4,1А, 830мВт, TSSOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8..

62.40 руб.



SK80MD055 - 190x210

SK80MD055 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 55В, 117А, SEMITOP2

Масса брутто: 0.03 kg Групповая упаковка [pcs]: 3 ТОВАР СНЯТ С РОЗНИЧНЫХ ПРОДАЖ..

по запросу



ZXMC10A816N8TC - 190x210

ZXMC10A816N8TC Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -100/100В, -2,1/2,2А, 2,4Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 100/-100В..

по запросу



ZXMC3A16DN8TC - 190x210

ZXMC3A16DN8TC Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -30/30В, -6,4/5,4А, 2,1Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В..

по запросу



ZXMC3A17DN8TA - 190x210

ZXMC3A17DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -30/30В, -5,4/4,4А, 2,1Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В..

по запросу



ZXMC3F31DN8TA - 190x210

ZXMC3F31DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -30/30В, -7/4,5А, 2,1Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В..

по запросу



ZXMC4559DN8TC - 190x210

ZXMC4559DN8TC Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -60/60В, -4,7/3,9А, 2,2Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 60/-60В..

по запросу



ZXMC4A16DN8TA - 190x210

ZXMC4A16DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -40/40В, -5,2/4,7А, 2,1Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 40/-40В..

по запросу



ZXMC6A09DN8TA - 190x210

ZXMC6A09DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -60/60В, -5,1/4,8А, 2,1Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 60/-60В..

по запросу



Показано с 301 по 330 из 332 (Всего страниц: 12)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой