IRF9910PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 20В, 10А, 2Вт, SO8

  • IRF9910PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 0нC
Код завода IRF9910PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 20В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 13.4мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока 10А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой