IRF9952PBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 3,5А, 2Вт, SO8

  • IRF9952PBF - 228x228

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 6.9 (N)/6.1 (P)нC
Код завода IRF9952PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 100мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N/P-MOSFET x2
Ток стока 3.5А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой