Channel kind

Transistor kind

Вид упаковки

Выход

Выходной ток

Заряд затвора

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор-исток

Напряжение сток-исток

Номинальный ток

Полярность

Серия

Сопротивление в открытом состоянии

Тепловое сопротивление переход-корпус

Тепловое сопротивление переход-среда

Технология

Тип транзистора

Ток стока

Производитель

Транзисторы с каналом P SMD | Страница: 14

Транзисторы с каналом P SMD | Страница: 14 - 100x100

Сравнение товаров (0)


MMBFJ177LT1G - 190x210

MMBFJ177LT1G - Транзистор: P-JFET, полевой, -30В, -20мА, 225мВт, SOT23

Масса брутто: 0.04 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

34.32 руб.



NDS0610 - 190x210

NDS0610 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, 60В, 360мВт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23..

по запросу



NDS352AP - 190x210

NDS352AP - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -900мА, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3..

по запросу



NDT2955 - 190x210

NDT2955 Транзистор: МОП р-канальный, -60В, 3Вт, SOT223

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223..

по запросу



NDT454P - 190x210

NDT454P - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -5,9А, 3Вт, SOT223

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; 3Вт; SOT223..

по запросу



NTD25P03L - 190x210

NTD25P03L - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -35В, -25А, DPAK

Масса брутто: 0.46 g Групповая упаковка [pcs]: 75 ..

59.28 руб.



NTR4101PT1G - 190x210

NTR4101PT1G Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -3,2А, SOT23-3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23-3..

9.36 руб.



NX2301P.215 - 190x210

NX2301P.215 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, 400мВт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23..

7.02 руб.



SI1419DH-T1-E3 - 190x210

SI1419DH-T1-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -200В, -300мА, SOT363

Масса брутто: 1 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



SI2301CDS-T1-GE3 - 190x210

SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -3,1А, 1,6Вт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23..

14.82 руб.



SI2305CDS - 190x210

SI2305CDS - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -8В, -5,8А, 1,7Вт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3,5А; 1,7Вт; SOT23..

18.72 руб.



SI2305DS-T1-E3 - 190x210

SI2305DS-T1-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -8В, -3,5А, 1,25Вт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -2,8А; 1,25Вт; SOT23..

по запросу



SI2307BDS-T1-GE - 190x210

SI2307BDS-T1-GE - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -3,2А, 750мВт, SOT23

Масса брутто: 0.04 g Групповая упаковка [pcs]: 100 ..

по запросу



SI2315BDS-T1-E3 - 190x210

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -12В, -3А, 750мВт, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23..

32.76 руб.



SI2323DS-T1-E3 - 190x210

SI2323DS-T1-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -4,7А, SOT23

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,25Вт; SOT23..

46.80 руб.



SI4401BDY-E3 - 190x210

SI4401BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -40В, -10,5А, 2,9Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8..

116.22 руб.



SI4403BDY-E3 - 190x210

SI4403BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -7,3А, 1,35Вт, SO8

Масса брутто: 0.13 g Групповая упаковка [pcs]: 100 ..

139.62 руб.



SI4435DDY - 190x210

SI4435DDY - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -8,1А, 2,5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8..

56.16 руб.



SI4435DYPBF - 190x210

SI4435DYPBF Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -8,8А, 2,5Вт, SO8

Масса брутто: 0.5 g Групповая упаковка [pcs]: 10 ..

по запросу



SI4463BDY-E3 - 190x210

SI4463BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, 20В, 9,8А, 1,5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8..

93.60 руб.



SI4835DDY-T1-E3 - 190x210

SI4835DDY-T1-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -13А, 5,6Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8..

147.42 руб.



SI4925BDY-T1-E3 - 190x210

SI4925BDY-T1-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8..

по запросу



SI4925DDY-T1-GE3 - 190x210

SI4925DDY-T1-GE3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8..

49.92 руб.



SI4947ADY-E3 - 190x210

SI4947ADY-E3 - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, 30В, 3,9А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.25 g Групповая упаковка [pcs]: 20 ..

по запросу



SI4953ADY-E3 - 190x210

SI4953ADY-E3 - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, 30В, 4,9А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 2500 ..

по запросу



SI5855DC-T1-GE3 - 190x210

SI5855DC-T1-GE3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -2,7А, 1,1Вт, 1206-8

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,9А; 0,6Вт..

по запросу



SI9407BDY-E3 - 190x210

SI9407BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -60В, -4А, 5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8..

52.26 руб.



SI9433BDY-E3 - 190x210

SI9433BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, 20В, 6,2А, 2,5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8..

52.26 руб.



SI9435BDY-E3 - 190x210

SI9435BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, 30В, 5,7А, 2,5Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8..

39.78 руб.



SI9934BDY-E3 - 190x210

SI9934BDY-E3 - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, 12В, 6,4А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.14 g Групповая упаковка [pcs]: 1000 ..

по запросу



Показано с 391 по 420 из 453 (Всего страниц: 16)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой