Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
SI5855DC-T1-GE3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -2,7А, 1,1Вт, 1206-8
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,9А; 0,6Вт
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Код завода | SI5855DC-T1-GE3 |
Корпус | 1206-8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 1.1Вт |
Напряжение сток-исток | -20В |
Полярность | полевой |
Тип транзистора | МОП р-канальный |
Ток стока | -2.7А |