SI5855DC-T1-GE3 - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, -20В, -2,7А, 1,1Вт, 1206-8

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,9А; 0,6Вт

Файлы документации

Характеристики

Общие
Код завода SI5855DC-T1-GE3
Корпус 1206-8
Монтаж SMD
Мощность 1.1Вт
Напряжение сток-исток -20В
Полярность полевой
Тип транзистора МОП р-канальный
Ток стока -2.7А
  • Производитель: VISHAY
  • Модель: SI5855DC-T1-GE3
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой