Channel kind

Transistor kind

Вид упаковки

Время включения

Время выключения

Выход

Выходной ток

Заряд затвора

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор-исток

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение сток-исток

Номинальный ток

Полярность

Принципиальная схема

Серия

Сопротивление в открытом состоянии

Тепловое сопротивление переход-корпус

Тепловое сопротивление переход-среда

Технология

Тип канала

Тип транзистора

Ток коллектора

Ток стока

Производитель

Транзисторы с каналом N SMD | Страница: 27

Транзисторы с каналом N SMD | Страница: 27 - 100x100

Сравнение товаров (0)


IPD50R280CEATMA1 - 190x210

IPD50R280CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 13А, 92Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 92Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R2K0CEBTMA1 - 190x210

IPD50R2K0CEBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 2,4А, 22Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; 22Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R399CPATMA1 - 190x210

IPD50R399CPATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 9А, 83Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R399CPBTMA1 - 190x210

IPD50R399CPBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 9А, 83Вт, PG-TO252-3, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R3K0CEBTMA1 - 190x210

IPD50R3K0CEBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 1,7А, 18Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,7А; 18Вт; PG-TO252-3..

30.42 руб.



IPD50R520CPATMA1 - 190x210

IPD50R520CPATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,1А, 66Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R520CPBTMA1 - 190x210

IPD50R520CPBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,1А, 66Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD50R800CEATMA1 - 190x210

IPD50R800CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 5А, 40Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5А; 40Вт; PG-TO252-3..

46.80 руб.



IPD50R950CEATMA1 - 190x210

IPD50R950CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 500В, 4,3А, 34Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD530N15N3GBTMA1 - 190x210

IPD530N15N3GBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 150В, 21А, 68Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R190C7ATMA1 - 190x210

IPD65R190C7ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 3,2А, 28Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; 28Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R1K4C6ATMA1 - 190x210

IPD65R1K4C6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 2,8А, 28,4Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3..

71.76 руб.



IPD65R1K4CFDBTMA1 - 190x210

IPD65R1K4CFDBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 2,8А, 28,4Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R225C7ATMA1 - 190x210

IPD65R225C7ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 11А, 63Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; 63Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R250C6XTMA1 - 190x210

IPD65R250C6XTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 16,1А, 208,3Вт

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208,3Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R250E6XTMA1 - 190x210

IPD65R250E6XTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 16,1А, 208Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R380C6ATMA1 - 190x210

IPD65R380C6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 10,6А, 83Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R380C6BTMA1 - 190x210

IPD65R380C6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 10,6А, 83Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R380E6ATMA1 - 190x210

IPD65R380E6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 10,6А, 83Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R380E6BTMA1 - 190x210

IPD65R380E6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 10,6А, 83Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R420CFDATMA1 - 190x210

IPD65R420CFDATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 8,7А, 83,3Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R420CFDBTMA1 - 190x210

IPD65R420CFDBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 8,7А, 83,3Вт, CoolMOS™

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R600C6BTMA1 - 190x210

IPD65R600C6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 7,3А, 63Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R600E6ATMA1 - 190x210

IPD65R600E6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 7,3А, 63Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3..

по запросу



IPD65R600E6BTMA1 - 190x210

IPD65R600E6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 7,3А, 63Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3..

по запросу



Показано с 781 по 810 из 1858 (Всего страниц: 62)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой