IPD65R1K4CFDBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 2,8А, 28,4Вт, CoolMOS™

  • IPD65R1K4CFDBTMA1 - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3

Файлы документации

Характеристики

Общие
Код завода IPD65R1K4CFDBTMA1
Корпус PG-TO252-3
Монтаж SMD
Мощность 28.4Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 650В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 1.4Ом
Технология CoolMOS™
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 2.8А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой