IPD50R399CPBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 9А, 83Вт, PG-TO252-3, CoolMOS™

  • IPD50R399CPBTMA1 - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3

Характеристики

Общие
Код завода IPD50R399CPBTMA1
Корпус PG-TO252-3
Монтаж SMD
Мощность 83Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 500В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 399мОм
Технология CoolMOS™
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой