Товар опубликован в разделах:


UJ3C065080T3S

Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 23А

Характеристики

Общие
Производитель UnitedSiC
Монтаж THT
Рассеиваемая мощность 190Вт
Заряд затвора 51нC
Полярность полевой
Технология SiC
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Ток стока 23А
Напряжение сток-исток 650В
Вид транзистора каскодный
Тип транзистора N-JFET/N-MOSFET
Корпус TO220-3
Сопротивление в открытом состоянии 80мОм
Напряжение затвор-исток ±25В
  • Производитель: UnitedSiC
  • Модель: UJ3C065080T3S
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой