Товар опубликован в разделах:
UJ3C065080B3
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | UnitedSiC |
Монтаж | SMD |
Рассеиваемая мощность | 115Вт |
Заряд затвора | 51нC |
Полярность | полевой |
Технология | SiC |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
Ток стока | 18,2А |
Напряжение сток-исток | 650В |
Вид транзистора | каскодный |
Тип транзистора | N-JFET/N-MOSFET |
Корпус | D2PAK |
Сопротивление в открытом состоянии | 80мОм |
Напряжение затвор-исток | ±25В |