Товар опубликован в разделах:


UJ3C065030B3

Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 47А

Характеристики

Общие
Производитель UnitedSiC
Монтаж SMD
Рассеиваемая мощность 250Вт
Заряд затвора 51нC
Полярность полевой
Технология SiC
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Ток стока 47А
Напряжение сток-исток 650В
Вид транзистора каскодный
Тип транзистора N-JFET/N-MOSFET
Корпус D2PAK
Сопротивление в открытом состоянии 27мОм
Напряжение затвор-исток ±25В
  • Производитель: UnitedSiC
  • Модель: UJ3C065030B3
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой