Товар опубликован в разделах:
UF3C065080K4S
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 23А
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | UnitedSiC |
Монтаж | THT |
Рассеиваемая мощность | 190Вт |
Заряд затвора | 43нC |
Полярность | полевой |
Технология | SiC |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
Ток стока | 23А |
Напряжение сток-исток | 650В |
Вид транзистора | каскодный |
Тип транзистора | N-JFET/N-MOSFET |
Корпус | TO247-4 |
Сопротивление в открытом состоянии | 80мОм |
Напряжение затвор-исток | ±25В |