U6264BDK07LLG1 - Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 4,5÷5,5В, 70нс, DIP28

  • U6264BDK07LLG1 - 228x228

Память; SRAM,синхронная; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 70нс; DIP28

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 70нс
Емкость памяти 64кбит
Код завода U6264BDK07LLG1
Корпус DIP28
Монтаж THT
Рабочее напряжение 4.5...5.5В
Структура памяти 8Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой