Товар опубликован в разделах:


STU1HN60K3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,76А; 27Вт; IPAK

Характеристики

Общие
Производитель ST MICROELECTRONICS
Монтаж THT
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Вид упаковки туба
Корпус IPAK
Рассеиваемая мощность 27Вт
Технология SuperMesh™
Ток стока 0,76А
Напряжение сток-исток 600В
Тип транзистора N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии 8000мОм
Полярность полевой
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой