Товар опубликован в разделах:


STU13N60M2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 110Вт; IPAK

Характеристики

Общие
Производитель ST MICROELECTRONICS
Монтаж THT
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Вид упаковки туба
Корпус IPAK
Рассеиваемая мощность 110Вт
Технология SuperMesh™
Ток стока
Напряжение сток-исток 600В
Тип транзистора N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии 380мОм
Напряжение затвор-исток ±25В
Полярность полевой
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой