Товар опубликован в разделах:
SCT50N120
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; 318Вт; HIP247™
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | ST MICROELECTRONICS |
Вид упаковки | туба |
Рассеиваемая мощность | 318Вт |
Заряд затвора | 122нC |
Полярность | полевой |
Технология | SiC |
Технология | SiCFET |
Ток стока | 50А |
Напряжение сток-исток | 1,2кВ |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Корпус | HIP247™ |
Сопротивление в открытом состоянии | 70мОм |
Напряжение затвор-исток | -10...25В |
Монтаж | THT |