Товар опубликован в разделах:
RFD12N06RLESM9A
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
| Монтаж | SMD |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Корпус | DPAK |
| Сопротивление в открытом состоянии | 75мОм |
| Напряжение затвор-исток | ±16В |
| Рассеиваемая мощность | 49Вт |
| Заряд затвора | 15нC |
| Полярность | полевой |
| Технология | UltraFET® |
| Ток стока | 8А |
| Напряжение сток-исток | 60В |