Товар опубликован в разделах:
NE5517DG
Transconductance amplifier; 2MHz; Channels: 2; Uoper: 4÷44V; SO16
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
| Монтаж | SMD |
| Рабочая температура | 0...70°C |
| Входное напряжение смещения | 5мВ |
| Скорость нарастания напряжения | 50В/мкс |
| Тип микросхемы | transconductance amplifier |
| Рассеиваемая мощность | 1125мВт |
| Вид упаковки | туба |
| Корпус | SO16 |
| Кол-во каналов | 2 |
| Рабочее напряжение | 4...44В |
| Полоса передаваемых частот | 2МГц |