Товар опубликован в разделах:


MUN5213T1G

Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 310мВт; SOT323

Характеристики

Общие
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Монтаж SMD
Напряжение коллектор-эмиттер 50В
резистор базы 47кОм
Рассеиваемая мощность 310мВт
Полярность биполярный
Вид транзистора BRT
Тип транзистора NPN
Коэффициент усиления по току 140
Вид упаковки бобина
Вид упаковки лента
резистор эмиттер - база 47кОм
Корпус SOT323
Ток коллектора 0,1А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой