Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Модули IGBT
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Модули IGBT
MG12150D-BA1MM Модуль: IGBT, 1,2кВ, 150А, 1,1кВт, package D
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; package D; винтами; винтами
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Время включения | 225нс |
Время выключения | 570нс |
Код завода | MG12150D-BA1MM |
Корпус | package D |
Монтаж | винт M6 |
Мощность | 1.1кВт |
Напряжение затвор - эмиттер | 20В |
Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2В |
Тип модуля | IGBT |
Ток коллектора | 150А |
Ток коллектора в импульсе | 300А |
Рабочая температура | -40...150°C |