M29W800DT70N6E - Микросхема памяти, Flash EPROM, parallel, 1Mx8/512Кx16бит, 70нс

  • M29W800DT70N6E - 228x228

Память; Flash EPROM; parallel; 1Mx8/512Кx16бит; 70нс; TSOP48

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти Flash EPROM
Время доступа 70нс
Емкость памяти 8Мбит
Интерфейс parallel
Код завода M29W800DT70N6E
Корпус TSOP48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...3.6В
Структура памяти 1Mx8/512Кx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой