IXGN200N60B3 - Транзистор: IGBT, 600В, 200А, 830Вт, SOT227B

  • IXGN200N60B3 - 228x228

Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 830Вт; GenX3™,PT

Файлы документации

Характеристики

Общие
Код завода IXGN200N60B3
Корпус SOT227B
Мощность 830Вт
Напряжение коллектор-эмиттер 600В
Тип транзистора IGBT
Ток коллектора 200А
  • Производитель: IXYS
  • Модель: IXGN200N60B3
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой