Товар опубликован в разделах:


IXBH6N170

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

Характеристики

Общие
Производитель IXYS
Тип транзистора IGBT
Технология BiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер 1,7кВ
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность 75Вт
Корпус TO247-3
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 36А
Монтаж THT
Заряд затвора 17нC
Вид упаковки туба
Время включения 104нс
Время выключения 700нс
Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный
  • Производитель: IXYS
  • Модель: IXBH6N170
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой