Товар опубликован в разделах:


IXBH16N170A

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3

Характеристики

Общие
Производитель IXYS
Тип транзистора IGBT
Технология BiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер 1,7кВ
Ток коллектора 10А
Рассеиваемая мощность 150Вт
Корпус TO247-3
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 40А
Монтаж THT
Заряд затвора 65нC
Вид упаковки туба
Время включения 43нс
Время выключения 370нс
Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный
  • Производитель: IXYS
  • Модель: IXBH16N170A
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой