IXYS | Страница: 14
Корпорация IXYS основана в 1983 году в Силиконовой долине в городе Милпитас, Калифорния, США. IXYS производит силовые полупроводниковые приборы и технологий для эффективного преобразования энергии.
В продукцию IXYS входят силовые полупроводниковые приборы: MOSFET-транзисторы; — n-канальные — p-канальные; высокочастотные линейные и импульсные; MOSFET-модули; IGBT-транзисторы; IGBT-модули; диоды и диодные модули; выпрямительные; шоттки; быстро восстанавливающиеся; тиристоры и тиристорные модули.
Область применения продукции IXYS: управление электродвигателями; источники питания; электросварочное оборудование; зарядные устройства; электроэнергетика; источники альтернативной энергии; телекоммуникации; медицинское оборудование; бытовая электроника; автомобильная промышленность.
[ Без категории ]
IXA30PG1200DHGLB
Полумост IGBT; Ic: 30А; SMPD-B; SMT; 150Вт; ISOPLUS™,Sonic FRD™..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXA30RG1200DHGLB
Boost,тормозной транзистор; Ic: 30А; SMPD-B; SMT; 147Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXA33IF1200HB
Транзистор: IGBT; Sonic FRD™; 1,2кВ; 34А; 250Вт; TO220AB..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXA40PG1200DHGLB
Полумост IGBT; Ic: 45А; SMPD-B; SMT; 230Вт; ISOPLUS™,Sonic FRD™..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXA40RG1200DHGLB
Boost,тормозной транзистор; Ic: 43А; SMPD-B; SMT; 215Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXBF20N360
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт; ISOPLUS i4-pac™..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXBF40N160
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт; ISOPLUS i4-pac™..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXBF42N300
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 24А; 240Вт; ISOPLUS i4-pac™..
0.00 руб.
[ Модули IGBT ]
IXBH9N160G - Транзистор: IGBT, 1600В, 9А, 100Вт, TO247AD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 5А; 100Вт; TO247-3..
957.84 руб.