Товар опубликован в разделах:


IXBH10N300HV

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV

Характеристики

Общие
Производитель IXYS
Тип транзистора IGBT
Технология BiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер 3кВ
Ток коллектора 10А
Рассеиваемая мощность 180Вт
Корпус TO247HV
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 88А
Монтаж THT
Заряд затвора 46нC
Вид упаковки туба
Время включения 805нс
Время выключения 2,13мкс
Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный
  • Производитель: IXYS
  • Модель: IXBH10N300HV
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой