Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
IRFB59N10DPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 59А, 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 59А; 200Вт; TO220AB
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 76нC |
| Код завода | IRFB59N10DPBF |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 200Вт |
| Напряжение затвор-исток | 30В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 25мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 750мК/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 59А |