IRF8010PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 80А, 260Вт

  • IRF8010PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 260Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 81нC
Код завода IRF8010PBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 260Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 15мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 570мК/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 80А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой