IRF7853PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 8,3А, 2,5Вт

  • IRF7853PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 28нC
Код завода IRF7853PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 18мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 8.3А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой