Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF7853PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 8,3А, 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 28нC |
Код завода | IRF7853PBF |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.5Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | 100В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 18мОм |
Тепловое сопротивление переход-среда | 50К/Вт |
Тип транзистора | МОП n-канальный |
Ток стока | 8.3А |