IRF7842PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 40В, 18А, 2,5Вт, SO8

  • IRF7842PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 33нC
Код завода IRF7842PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 40В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 5мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 18А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой