IRF7831PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 21А, 2,5Вт, SO8

  • IRF7831PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 40нC
Код завода IRF7831PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 12В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 3.6мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 21А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой