IRF7478PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 60В, 7,6А, 2,5Вт, SO8

  • IRF7478PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,6А; 2,5Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 21нC
Код завода IRF7478PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 60В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 26мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 7.6А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой