IRF7317PBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 20В, 6,6А, 2Вт, SO8

  • IRF7317PBF - 228x228

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 6,6/-5,3А; 2Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 18 (N)/19 (P)нC
Код завода IRF7317PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 12В
Напряжение сток-исток 20В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 29мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N/P-MOSFET x2
Ток стока 6.6А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой