IRF7309PBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 4А, 1,4Вт, SO8

  • IRF7309PBF - 228x228

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 16.7 (N)/16.7 (P)нC
Код завода IRF7309PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.4Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 50мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 90К/Вт
Тип транзистора N/P-MOSFET x2
Ток стока
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой