IRF7306PBF - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, HEXFET, -30В, -3,6А, 2Вт, SO8

  • IRF7306PBF - 228x228

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 16.7нC
Код завода IRF7306PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток -30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 100мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -3.6А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой