IRF640NPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 200В, 18А, 150Вт

  • IRF640NPBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 44.7нC
Код завода IRF640NPBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 150Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 200В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 150мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 1К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 18А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой