IRF630NPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 200В, 9,5А, 82Вт

  • IRF630NPBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 23.3нC
Код завода IRF630NPBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 82Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 200В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 300мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 1.83К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 9.5А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой