IRF530NPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 17А, 79Вт

  • IRF530NPBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 24.7нC
Код завода IRF530NPBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 79Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 90мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 1.9К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 17А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой