IRF5210PBF - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, HEXFET, -100В, -40А, 200Вт

  • IRF5210PBF - 228x228

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 120нC
Код завода IRF5210PBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 200Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток -100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 60мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 750мК/Вт
Тип транзистора МОП р-канальный
Ток стока -40А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой