IRF3710PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 57А, 200Вт

  • IRF3710PBF - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 57А; 200Вт; TO220AB

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 86.7нC
Код завода IRF3710PBF
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Мощность 200Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 23мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 750мК/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 57А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой