Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF1018ESLPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 60В, 79А, 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 79А; 110Вт; TO262
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 46нC |
| Код завода | IRF1018ESLPBF |
| Корпус | TO262 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 110Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8.4мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 1.32К/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 79А |