Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
IRF1010EPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 60В, 81А, 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 86.6нC |
| Код завода | IRF1010EPBF |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 170Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 12мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 900мК/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 81А |