Товар опубликован в разделах:
IPT029N08N5
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-HSOF-8-1
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Сопротивление в открытом состоянии | 2,9мОм |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | SMD |
Рассеиваемая мощность | 167Вт |
Заряд затвора | 70нC |
Полярность | полевой |
Технология | OptiMOS™ 5 |
Ток стока | 120А |
Вид канала | обогащенный |
Напряжение сток-исток | 80В |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Корпус | PG-HSOF-8-1 |