Товар опубликован в разделах:
IPN80R600P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | CoolMOS™ P7 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 800В |
Ток стока | 5,5А |
Рассеиваемая мощность | 7,4Вт |
Корпус | PG-SOT223 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 600мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 20нC |
Вид упаковки | бобина |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |