Товар опубликован в разделах:
IPN80R3K3P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | CoolMOS™ P7 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 800В |
Ток стока | 1,3А |
Рассеиваемая мощность | 6,1Вт |
Корпус | PG-SOT223 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 3300мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 6нC |
Вид упаковки | бобина |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |