Товар опубликован в разделах:
IPD95R1K2P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | CoolMOS™ P7 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 950В |
Ток стока | 3,7А |
Рассеиваемая мощность | 52Вт |
Корпус | DPAK |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 1200мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 15нC |
Вид упаковки | бобина |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |